半导体电铸植球模板以±1μm精度突破工艺极限，通过5μm光洁孔壁和智能张力控制实现0.05mm焊球精准定
位，解决5G/AI芯片高密度封装难题，成为先进封装核心技术。
电铸植球模板采用高纯镍基材质与精密工艺，实现超光滑孔壁和梯度孔径优化，结合自适应张力系统提升对位
精度。实测使5G芯片植球良率提升30%，寿命延长3-5倍，并在HBM存储芯片中实现100μm超细间距植球，显
著降低生产成本，为高性能芯片提供关键支持。
芯片制程持续微缩下，先进封装成为延续摩尔定律的关键。电铸植球模板以±1μm级超高精度，在5G/AI/自动
驾驶芯片封装中不可或缺。预计未来三年市场规模年增25%，从手机处理器到数据中心GPU，这项技术正重塑芯
片制造极限，赋能下一代电子设备更强大性能。
芯片微缩时代，电铸植球模板以±1μm精度成为延续摩尔定律的关键。该技术已广泛应用于5G/AI/自动驾驶芯片
封装，市场预计年增25%，正推动从手机到数据中心的全产业链升级，重塑芯片制造工艺极限。
南通卓力达电铸植球模板以纳米级加工精度（±0.1μm）和超高密度孔阵（1000+孔/cm²）领跑行业，采用特种
合金材料使模板寿命提升3倍以上。其创新动态孔型设计确保焊球一致性＞98%，残留率＜0.5%，完美解决5G芯片、
HBM存储等先进封装中的微间距植球难题，显著提升封装良率，是半导体高密度互连领域的标杆解决方案。