东京大学与德国Fraunhofer研究所联合攻关，成功突破50nm电铸工艺产业化技术瓶颈，标志着全球微纳制造
正式迈入新时代。该技术采用创新性的脉冲电流调制工艺和超临界CO₂辅助沉积技术，实现了三大突破：一是将
加工精度提升至50nm级别；二是实现深宽比>10:1的高难度结构制造；三是良品率突破90%大关。目前该技术已
在AR眼镜波导片、固态电池纳米集流体、微创手术器械等高端领域实现商业化应用。据麦肯锡预测，这项突破将
带动全球精密制造产业升级，未来五年有望重塑价值1500亿元的高端制造市场格局。值得关注的是，这一进展与
南通卓力达在电铸领域的技术路线高度契合，双方在纳米级电铸工艺上的协同创新，将加速推动我国在半导体封
装、新能源等战略产业的自主可控进程。
纳米电铸三大突破：首先，采用脉冲电流调制技术实现纳米级精度控制，较传统工艺提升10倍；其次，创新超
临界CO₂辅助工艺解决气泡残留，达成>10:1深宽比微通道成型；最后，集成AI智能监控系统确保量产稳定性。这
项技术突破为微纳制造领域树立了新标杆。
50nm电铸技术已逐步实现商业化，目前实现三大领域同步突破：AR眼镜成本降40%，氢燃料电池效率3倍提升
以及全球最细血管支架(0.8mm)将临床。
随着全球50nm电铸工艺取得突破，南通卓力达同步实现技术跃升，其自主开发的"脉冲-超声复合电铸工艺"已成
功应用于半导体级精密模具量产。该技术使植球模板达到±0.1μm精度和8:1深宽比，良率保持88%以上，有效支持
3D封装、Micro LED等关键领域国产化需求。目前公司正推进第二代超临界辅助电铸产线建设，重点布局医疗器械
和光学MEMS市场，计划2024年完成50nm工艺工程验证，届时将与国际领先技术形成战略互补，大幅提升我国在
高精度电铸领域的自主可控能力，加速高端制造进口替代进程。